幾年來，以氮化鎵（D-GaN,E-GaN）為標(biāo)標(biāo)志的第三代半導(dǎo)體帶來的快充小型化漸成氣候。這兩年，高壓氮化鎵技術(shù)越來越成熟，特別是零待機(jī)方案把氮化鎵帶入更大的風(fēng)口。可以說，從低端配件快充到高端品牌廠家都把零待機(jī)氮化鎵作為首選突破方案。

   上海芯熠微電子的技術(shù)團(tuán)隊(duì)生深耕一線品牌手機(jī)市場(chǎng)多年，跟著市場(chǎng)需求做產(chǎn)品，為客戶創(chuàng)造價(jià)值，零待機(jī)終于應(yīng)用而生了。目前，uP-GaN系列產(chǎn)品已經(jīng)獲得多項(xiàng)發(fā)明專利，產(chǎn)品受到客戶好評(píng)。   

UP-GAN驅(qū)動(dòng)方案特點(diǎn)是：無光耦、協(xié)議內(nèi)置、元件少，低成本、高集成。市場(chǎng)上其他的零待機(jī)方案也都帶光耦或磁耦，量產(chǎn)的不多。這些方案的協(xié)議都是外置的，系統(tǒng)元件多，系統(tǒng)成本明顯高于芯熠微電子的快充方案。